譜純氣體|資質(zhì)齊全(查看)-上海四氟化碳?xì)怏w：

四氟化碳的用途與作用 :

 四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環(huán)境下是相對惰性的，在不通風(fēng)的地方會引起窒息。在射頻等離子體環(huán)境中，氟自由基表現(xiàn)為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制（如半導(dǎo)體各項異性控制）。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧4化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

由碳與氟反應(yīng)，或與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，都能生成四氟化碳。儲存注意事項：儲存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應(yīng)與易（可）燃物、氧化劑分開存放，切忌混儲。儲區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經(jīng)精餾而得成品。

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