在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后,氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?,使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
四氟化1碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì),在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應(yīng)在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤(pán)中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤(pán)放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
四氟化碳(CF4)早就是通過(guò)氟碳直接反應(yīng)法制得的,該方法經(jīng)過(guò)不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品,是一種無(wú)色無(wú)味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,在密閉容器中遇高熱有危險(xiǎn),不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?,并通過(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。
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